Galerie 10
bsi-cmos-snimac-popis-technologie
Článek Fotoaparáty Technologie

BSI CMOS snímač: popis technologie

Michal Srna

Michal Srna

9

Seznam kapitol

1. BSI CMOS snímač: popis technologie 2. Čelní (Front) vs. Zpětné (Back) osvětlení 3. Minulost a budoucnost BSI technologie

V současné době je v mnoha novinkách digitálních fotoaparátu představován "nový" typ CMOS snímače značený jako BSI CMOS. Dnes si stručně popíšeme obecný princip snímání obrazu, co se skrývá za BSI označením a jaký dopad má tato technologie na vlastnosti CMOS.

Reklama

Samsung, Casio, Fujifilm, Sony... dokonce i Apple využívají ve svých nových zařízeních

backside-illuminated CMOS

snímač známý pod zkratkou jako

BSI CMOS

. Abychom mohli přejít k vysvětlení této technologie, musíme si nejprve uvědomit, jak vlastně obrazový senzor funguje. Jen díky tomu pochopíme princip

BSI CMOS

snímacího senzoru a porozumíme mu.

BSI CMOS snímač: popis technologie


V čem spočívá odlišnost BSI technologie?
zdroj: fujifilm.co.uk

Nejčastěji používanými typy snímacích senzorů jsou v současné době

CCD

(Charge Coupled Devices) nebo

CMOS

(Complementary metal-oxide-semiconductor).

Logické obvody typu CMOS jsou známy již od roku

1963

, kdy byla tato technologie vyvinuta

Frankem Wanlassem

a následně roku

1967

patentována. Pro využití snímání obrazu však od 70. let 20. století

převládala technologie CCD

.

Oba typy snímačů jsou založeny na dvourozměrném

poli pixelů

, kde každý z nich obsahuje

světlocitlivý prvek

-

fotodiodu

schopný přeměňovat část optického záření na

elektrický signál

(pro zjednodušení si jej můžete představit jako malý solární panel).

Děje se tomu v důsledku tzv.

fotovoltaické

odezvy, ke které dojde, když je povrch křemíku vystaven světlu. Fotony viditelného spektra a blízkého IR záření mají dostatek energie k uvolnění elektronů z atomů tvořících

křemíkovou strukturu

a počet uvolněných

elektronů

je úměrný množství dopadajícího světla.

BSI CMOS snímač: popis technologie


Princip konverze světelné energie v křemíku na elektrický náboj
zdroj: suniva.com

Vzniklý elektrický signál je následně digitalizován a převeden na

jasovou hodnotu

v obraze, kterou vnímáme jako

digitální fotografii

(pro jednoduchost popisu uvažujeme pouze šedotónovou fotografii).

Obě technologie (CCD/CMOS) se liší právě ve způsobu "sběru" elektrického náboje z jednotlivých pixelů.

CCD transportuje elektrický náboj přes celý snímač až ke kraji, kde je vyčítán. Většina současných CMOS snímačů funguje na principu použití

tranzistoru

u každého pixelu, který

zesílí

a odvede elektrický signál přímo od něj (pro představu, jako by od každého pixelu vedl elektrický vodič). Takovýmto CMOS snímačům se říká

aktivní

(

APS

- Active Pixel Sensors).

BSI CMOS snímač: popis technologie


Princip sběru elektrického náboje u CCD snímače
zdroj: prophotowiki.com

U CMOS snímače může být tedy každý pixel vyhodnocen individuálně, nezávisle na hodnotách elektrického náboje v okolních pixelech. Výroba takového CMOS obrazového snímače má velmi blízko k výrobnímu procesu klasických

mikroprocesorů

.

BSI CMOS snímač: popis technologie


Struktura 2D pole APS CMOS snímače se znázorněním jednotlivých pixelů se zesilovači (PD = fotodioda)
zdroj: commons.wikimedia.org

Z výše uvedených teoretických poznatků se odvíjí i obecné vlastnosti obou snímačů. V tomto případě se zaměříme zejména na

citlivost

. Jelikož každý pixel CMOS snímače obsahuje několik tranzistorů, je jeho

citlivost na světlo nižší

, protože část fotonů (částic světla) namísto světlocitlivé vrstvy dopadne právě na tranzistory. Mezi další, nyní pro nás méně podstatné vlastnosti, patří

nižší spotřeba energie

CMOS snímače nebo jejich

levnější výroba

(možnost výroby v klasické křemíkové produkční linii jako mikroprocesory).

V následující podkapitole si vysvětlíme, jaký je rozdíl mezi klasickým konvenčním CMOS a BSI CMOS snímačem společně s

popisem

této technologie.


Předchozí
Další
Reklama
Reklama

Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.

Reklama
Reklama