Galerie 10
bsi-cmos-snimac-popis-technologie
Článek Fotoaparáty Technologie

BSI CMOS snímač: popis technologie | Kapitola 2

Michal Srna

Michal Srna

9

Seznam kapitol

1. BSI CMOS snímač: popis technologie 2. Čelní (Front) vs. Zpětné (Back) osvětlení 3. Minulost a budoucnost BSI technologie

V současné době je v mnoha novinkách digitálních fotoaparátu představován "nový" typ CMOS snímače značený jako BSI CMOS. Dnes si stručně popíšeme obecný princip snímání obrazu, co se skrývá za BSI označením a jaký dopad má tato technologie na vlastnosti CMOS.

Reklama

Většina konvenčních CMOS snímačů využívá princip tzv. čelního osvětlení (

front-illumination

), kdy jsou kovové obvody a tranzistory CMOS snímače umístěny

na povrchu

křemíkového substrátu, který, jak jsme si již popsali, tvoří světlocitlivou oblast pixelu (nazývanou jako fotodioda).

Nejenomže kovové obvody a tranzistory zmenšují světlocitlivou plochu (zhruba až na

1/4 možné efektivní plochy

) a část světla odráží zpět, ale zároveň brání sběru fotonů realizovaného pomocí sběrných čoček umístěných na povrchu snímače. Jedná se o velmi významný problém bránící miniaturizaci jednotlivých pixelů.

BSI CMOS snímač: popis technologie


Porovnání mezi příčnými řezy konvenčním front-illumination a back-illumination snímačem CMOS
zdroj: sony.net

Z těchto důvodů byla představena několika firmami technologie zpětného osvětlení pojmenovaná jako

BI/BSI

(

back-illumination

či

backside-illumination

) částečně řešící tento neduh konvenčních CMOS snímačů.

Princip spočívá v přesunutí vrstvy s kovovými obvody a tranzistory na opačnou stranu křemíkového substrátu, tedy

pod světlocitlivou vrstvu

. Hlavní výhoda je asi již každému zřejmá – zvýšení množství světelného záření dopadajícího na světlocitlivou vrstvu ->

vyšší citlivost snímače

.

BSI CMOS snímač: popis technologie


Další ukázka odlišného uspořádání struktur, konvenční CMOS (vlevo), BSI CMOS (vpravo)
zdroj: fujifilm.co.uk

Aby nebylo vše tak jednoduché, přináší tento přístup i své problémy. Zpětně osvětlené struktury mohou způsobovat

vyšší šum

,

temný proud

(proud, který protéká obvodem, aniž by docházelo k osvětlení snímače) nebo možnost

míchání barev

oddělených RGB maskou. Všechny tyto problémy vedou ke snížení poměru odstupu signálu od šumu (SNR).

V tomto bodě právě záleží na výrobcích BSI CMOS snímačů, jak se s danými nástrahami vypořádají a jestli výsledný efekt použití BSI technologie bude přínosný, či nikoliv. Velmi důležitou roli tedy sehrává samotný

výrobní proces

těchto snímačů. Podle současného vývoje byla však již většina těchto nástrah překonána a BSI CMOS snímače v mnoha parametrech překonávají své předchůdce.

Mezi hlavní výhody, které hovoří pro použití této technologie výroby CMOS snímačů, patří zejména

větší rychlost

,

citlivost

,

menší rozměry

celé matice,

značněvyšší fill-factor

(z důvodu přesunutí tranzistorů a kovových obvodu pod světlocitlivou plochu) a v současnosti již nižší náklady na výrobu.

BSI CMOS snímač: popis technologie


Porovnání dvou snímků při nízkém osvětlení (30 lx) pořízených konvenčním CMOS snímačem (vlevo) a BSI CMOS snímačem (vpravo) se stejnou velikostí a počtem pixelů při stejných hodnotách expozice
zdroj: sony.net

V poslední podkapitole si povíme něco o minulosti této technologie a jejím rozmachu nejen do oblasti digitálních kompaktů.


Předchozí
Další
Reklama
Reklama

Komentáře naleznete na konci poslední kapitoly.

Reklama
Reklama