Na konferenci IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) prezentovala společnost Samsung svůj další výzkum a hovořila tu o 14nm FinFET výrobní technologii při použití pro výrobu snímačů. Pokud bychom se bavili o procesorech, tam jsme už dávno na 7 nm a brzy tu budou 5nm technologie, ale u čipů pro snímání obrazu jsou tyto hodnoty výrazně jinde (dnešní nejpokročilejší snímače jsou vyráběny 28nm technologií, což je u moderních procesorů dávná minulost). Podle tohoto dokumentu přináší 14nm FinFET proti dnešní 28nm technologii u 12MPx čipu při 30 až 120fps snímání 37% úsporu energie v digitálním zpracování dat a 18% úsporu v analogových obvodech.
Pokud by takový senzor měl rozlišení 144 MPx, pak by tyto úspory byly při 10fps snímání dokonce 42 %, resp. 21 %. To napovídá, že Samsung možná už vyvíjí takový senzor a při tomto rozlišení možná přejde od slučování 2×2 pixelů (což by odpovídalo 36 MPx) dokonce na 3×3 pixelů (16 MPx). Pokud by byly zachovány 0,8µm pixely jako u 108MPx senzoru, šlo by o snímač typu 1/1,15", tedy větší než v legendární Nokii 808 Pureview. Toto pochopitelně nemusí znamenat, že se takový snímač představí, nebo že je už aktivně ve vývoji (šlo o simulaci). Ostatně když jsem před mnoha lety na jiné konferenci mluvil s vědci ze Samsungu, tak také teoreticky pracovali na dvouvrstvém organickém senzoru a zatím nic. Zde bych to ale viděl mnohem pravděpodobněji.
Zdroj: wccftech.com, phonearena.com
